(本文另發表於http://webbbs.gamer.com.tw//readPost.php?brd=PS3&p=5158&rand=20060402 )
先前SONY官方表示,PS3的向下相容部份以軟硬體混合的方式達成。
和PS2幾乎完整內建PS硬體的做法稍有不同,
不過一般都認為PS3會內建部分或全部的PS/PS2硬體。
但是由於在3/15日發表的時候提到,
PS3執行PS/PS2 title時可以提高解析度到HD等級,
個人據此推測PS3的向下相容設計依靠RSX的特別設計,
與NVIDIA過去為PSP所做的虛擬化工作。
首先,我們先整理一下PS3的向下相容作法:
1. 完整內建
目前來說,最單純的作法應該是這樣,直接於南橋內建完整的EE+GS,
由於硬體幾乎完全相同,相容性應該最高;
缺點也非常明顯,PS3的南橋成本將會非常可怕,
因為南橋可能得具備2ch DRDRAM,以及GS的4MB eDRAM,
限制須使用eDRAM混載製程。
而且又會面臨一個困難,就是16bit 16MB DRDRAM的取得性越來越低,
久多良木健過去於PCWatch的訪談就曾經提過,如果未來取得性越來越低的話,
就會考慮將DRAM全面整合進晶片、以SoC的方式處理EE/GS等晶片,
由於PSP已經採用這種方式(EE+GS+8MB eDRAM Main memory、2MB eDRAM for
Video、VRAM、2MB for Sub Memory),
全面內建的可能性也是存在的;
但是如此一來就可能面臨需要內建高達36MB以上的eDRAM在南橋內,
只怕光南橋本身的成本就會高過Cell 和 RSX的總和…. 不可不慎。
2. 部份內建
個人支持的作法偏向這個方向,
由於Cell的PowerPC ISA與MIPS系的EE完全不同,
南橋顯然有內建EE的必要性,VU0/1也很難捨棄不配置;
但是如果是其他單元(如EE的IPU、MPEG decoder)的話,
那麼重複配置的需要性顯然是非常低的;
此外如果記憶體能直接沿用XDR的空間,那也能省掉配置DRDRAM的需求;
甚至問題也很大的GS,也可以用RSX來模擬,
如此一來提高解析度到HD等級就變得較為容易。
EE的內部bus是128bit、300MHz運作下的頻寬約為4.8GB/s,
而主記憶體的2ch DRDRAM頻寬為3.2GB/s,
目前已知PS3分配給南橋晶片的FlexIO總頻寬為5GB/s,即上下傳各2.5GB/s。
也就是說,FlexIO差不多可以滿足EE主記憶體的需求,
甚至勉強可以再包容進EE-GS中間的匯流排(GIF)的頻寬(1GB/s),
總和約4.2GB/s左右的需求。
所以,RSX內建GS的功能的可能性很大,反正GS的功能非常單純,
NVIDIA應該只需要把RSX稍微修改一下、甚至只要做好軟體介面虛擬化,
就可以把那些Hardwired pipeline的功能做起來了;
主要的問題剩下GS的eDRAM所具備的巨大頻寬(48GB/s),
以及過去PS2 title對這個結構的依存度高低(影響相容性)。
個人是不覺得RSX會因此內建4MB eDRAM來滿足需求啦….
不過想想當初NVIDIA表示RSX的電晶體數量是300M以上,
而G70雖然已經達到302M,但是G71卻在管線設計最佳化之後,
縮小到約278M的規模,考慮到部份單元RSX在PS3上根本沒有需求
(比方說SLI需要的MIO-port相關邏輯,
以當初NV40的die photo來說,其實佔掉了不小的面積)
刪刪減減低於278M的可能性非常高;而GS包含eDRAM在內也不過48M,
RSX如果還是會超過300M的話,說不定玄機就在這個部份。
但是,以此來推論RSX會有eDRAM的話也缺乏說服力,
因為如果要讓PS3執行PS2遊戲可以達到HD輸出,
也就是透過RSX的功能、在執行PS2軟體時對其進行"補強"(補間?)的作用,
那麼記憶體需求超過eDRAM包容能力的可能性是非常大的,
也就是說實質上RSX再內建eDRAM的作用實在不大。
所以主要的課題就是如何修改RSX的結構去消化GS結構上的大頻寬
(大部分是來自texture cache、Z-buffer的低效率),
並且減少可能帶來的問題(使用eDRAM製程帶來的風險與成本提升等等)。
當然,這個作法由於流程複雜,模擬過去PS2 title的時候,
可能出現的相容性問題就會比較多。
以上是個人的一點心得。