製程微縮的界線

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/TOPCOL/20080310/148752/
革新技術で「微細化限界論」に挑む
2008/03/11 09:30
大石 基之=日経エレクトロニクス

現在最大的問題是,過去的製程改善會帶來生產性的提升(cost down);但是未來越來越不見得會這樣。

預測從2004年的90nm,到2016年的22nm之間,設備投資每年加10%、製程研究開發每年加11%….
結果可能會變成,對大部分的user而言成本根本沒有減低。

當然為了維繫半導體業的前進動力,總是得找出解決之道….
比方說,最近IBM號召各廠合作突破32nm以下的製程的事情;Intel最近似乎也在45跨32的部分得到了關鍵性的進展。

聽說High-K搞得好的話,只要跨得過32nm,可以一路順暢到193pm….?

在〈製程微縮的界線〉中有 8 則留言

  1. 應該不是這樣的 High-K,並不能解決現有半導體所面臨到的所有問題,gate 的漏電雖然減少了,但導線的漏電卻越來越嚴重,另外穿隧效應在導線上也隨著線寬縮小而更加的明顯,目前已知中較有可能的解是 IBM 的挖洞方式,不過他們只有丟 paper,但是沒人知道他怎麼做的,這點問題頗大……
    半導體在製程進步及降低成本或是降低發熱上,目前已經是效益不彰了,基本的材料問題解決的很少,這方面有趣的是 IBM 雖說有不少的東西沒丟出來,但是要把那些東西轉化成可用的實際製程要不少的錢,這也是他們跟 Intel 最大的差別,不過 Intel 雖說抓到的關鍵技術不多但他們的 pass 能力是一流的,看兩家這樣玩下去也還頗有趣的。

  2. 應該不是這樣的 High-K,並不能解決現有半導體所面臨到的所有問題,gate 的漏電雖然減少了,但導線的漏電卻越來越嚴重,另外穿隧效應在導線上也隨著線寬縮小而更加的明顯,目前已知中較有可能的解是 IBM 的挖洞方式,不過他們只有丟 paper,但是沒人知道他怎麼做的,這點問題頗大……
    半導體在製程進步及降低成本或是降低發熱上,目前已經是效益不彰了,基本的材料問題解決的很少,這方面有趣的是 IBM 雖說有不少的東西沒丟出來,但是要把那些東西轉化成可用的實際製程要不少的錢,這也是他們跟 Intel 最大的差別,不過 Intel 雖說抓到的關鍵技術不多但他們的 pass 能力是一流的,看兩家這樣玩下去也還頗有趣的。

  3. 据说碳纳米管可以解决目前的很多技术难题
    以下是驱家的消息:
    45nm以下铜互连不如碳纳米管
    美国纽约州Rensselaer工学院科学家的最新试验显示,在45nm及以下制程中,碳纳米管材料的性能已经超过目前普遍使用的铜互连工艺。
    他们通过计算机模拟完成了这次试验,这也是全球第一次包含详细量子效应的芯片模拟试验,使用该校计算中心的100TFlops IBM超级计算机完成。试验最终结果显示,由于发热量过大,在45nm或更小的尺寸下,铜互连工艺无法实现理想的效果。而如果使用碳纳米管互联则可解决发热问题。
    Saroj Nayak教授表示:“我们相信,碳纳米管在45nm制程下的表现会比铜质连线更为出色。将来我们会对两种构造的性能进行精确的比较。”研究者建议,在45nm及更精密的制程下,采用碳纳米管来作为芯片上互连导线的材料,可以降低阻抗,从而降低功率。
    研究者表示,之前很少有芯片厂商原因使用碳纳米管的原因是,他们没有精确的测试数据以显示碳纳米管的优势所在,此次的试验能够给予他们信心。但目前的问题是,还没有一种方法可以大量制造碳纳米管。实验室中制造碳纳米管的方式,根本无法适用于芯片量产。

  4. 据说碳纳米管可以解决目前的很多技术难题
    以下是驱家的消息:
    45nm以下铜互连不如碳纳米管
    美国纽约州Rensselaer工学院科学家的最新试验显示,在45nm及以下制程中,碳纳米管材料的性能已经超过目前普遍使用的铜互连工艺。
    他们通过计算机模拟完成了这次试验,这也是全球第一次包含详细量子效应的芯片模拟试验,使用该校计算中心的100TFlops IBM超级计算机完成。试验最终结果显示,由于发热量过大,在45nm或更小的尺寸下,铜互连工艺无法实现理想的效果。而如果使用碳纳米管互联则可解决发热问题。
    Saroj Nayak教授表示:“我们相信,碳纳米管在45nm制程下的表现会比铜质连线更为出色。将来我们会对两种构造的性能进行精确的比较。”研究者建议,在45nm及更精密的制程下,采用碳纳米管来作为芯片上互连导线的材料,可以降低阻抗,从而降低功率。
    研究者表示,之前很少有芯片厂商原因使用碳纳米管的原因是,他们没有精确的测试数据以显示碳纳米管的优势所在,此次的试验能够给予他们信心。但目前的问题是,还没有一种方法可以大量制造碳纳米管。实验室中制造碳纳米管的方式,根本无法适用于芯片量产。

  5. 碳的話最好能作成無瑕疵鑽石網狀結構,導電性和耐熱性.傳熱性都是一流
    作法的話最有可能的是以化學氣相沈積法
    不過按照現在的研究速度碳要取代金屬要到2012年以後

  6. 碳的話最好能作成無瑕疵鑽石網狀結構,導電性和耐熱性.傳熱性都是一流
    作法的話最有可能的是以化學氣相沈積法
    不過按照現在的研究速度碳要取代金屬要到2012年以後

  7. 碳纳米管是一种奇异分子,它是使用一种特殊的化学气相方法,使碳原子形成长链来生长出的超细管子,细到5万根并排起来才有一根头发丝宽。这种又长又细的分子,人们给它取个计量单位“纳米”(百万分之一毫米)的名字,叫“纳米管”。尽管碳纳米管的理论上可长到几公里而不断,但人们已用多种方法制备的碳纳米管,最长也只有一二百微米。我国科学家另辟蹊径,创造性的制出了3毫米长的碳纳米管,把长度增加了上万倍。
    碳纳米管有着不可思议的强度与韧性,重量却极轻,导电性极强,兼有金属和半导体的性能;把纳米管组合起来,比同体积的钢强度高100倍,重量却只有1/6。

  8. 碳纳米管是一种奇异分子,它是使用一种特殊的化学气相方法,使碳原子形成长链来生长出的超细管子,细到5万根并排起来才有一根头发丝宽。这种又长又细的分子,人们给它取个计量单位“纳米”(百万分之一毫米)的名字,叫“纳米管”。尽管碳纳米管的理论上可长到几公里而不断,但人们已用多种方法制备的碳纳米管,最长也只有一二百微米。我国科学家另辟蹊径,创造性的制出了3毫米长的碳纳米管,把长度增加了上万倍。
    碳纳米管有着不可思议的强度与韧性,重量却极轻,导电性极强,兼有金属和半导体的性能;把纳米管组合起来,比同体积的钢强度高100倍,重量却只有1/6。

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